STL19N60DM2
STL19N60DM2
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- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STL19N60DM2
- 商品编号
- C19485960
- 商品封装
- PowerFLAT(8x8)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.257克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 连续漏极电流(Id) | 11A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 320mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 90W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 21nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | - |
商品概述
这款高压N沟道功率MOSFET属于MDmesh DM2快速恢复二极管系列。它具有极低的恢复电荷和恢复时间 (Qrr, trr),同时导通电阻RDS(ON)较低,适用于要求严苛的高效转换器,是桥式拓扑和ZVS移相转换器的理想选择。
商品特性
- 快速恢复体二极管
- 极低的栅极电荷和输入电容
- 低导通电阻RDS(ON)
- 100%雪崩测试
- 极高的dv/dt耐受能力
- 齐纳保护
应用领域
- 开关应用
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