GKI10526
GKI10526
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- 品牌名称
- SANKEN(三垦)
- 商品型号
- GKI10526
- 商品编号
- C19482927
- 商品封装
- DFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.171克(g)
商品参数
参数完善中
商品概述
P沟道增强型MOSFET采用P沟道DMOS工艺制造，专为高速脉冲放大器和驱动应用而设计。该MOSFET具有低导通电阻rDS(ON)和低阈值电压的特点。
商品特性
- 漏源击穿电压V(BR)DSS为100 V(漏极电流ID = 100 μA)
- 漏极电流ID为20 A
- 导通电阻RDS(ON)最大为54.2 mΩ(栅源电压VGS = 10 V,漏极电流ID = 9.3 A)
- 栅极总电荷Qg为9.0 nC(栅源电压VGS = 4.5 V,漏源电压VDS = 50 V,漏极电流ID = 11.9 A)
- 低栅极总电荷
- 高速开关
- 低导通电阻
- 支持4.5 V栅极驱动
- 经过100%单脉冲雪崩耐量(UIL)测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- DC-DC转换器
- 同步整流
- 电源
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