W29N01GVDIAA
1G-BIT 3.3V NAND FLASH MEMORY
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- 品牌名称
- Winbond(华邦)
- 商品型号
- W29N01GVDIAA
- 商品编号
- C19482099
- 商品封装
- VFBGA-48(6.5x8)
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | NAND FLASH | |
| 存储容量 | 1Gbit | |
| 接口类型 | - | |
| 时钟频率(fc) | - | |
| 工作电压 | 2.7V~3.6V | |
| 写周期时间(Tw) | - | |
| 页写入时间(Tpp) | 25ns |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 块擦除时间(tBE) | 2ms | |
| 数据保留 - TDR(年) | 10年 | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 待机电流 | - | |
| 擦写寿命 | 10万次 | |
| 功能特性 | 硬件写保护功能;读缓存功能;OTP区域写保护与锁定功能;ECC纠错功能;软件复位功能;复制回写功能 |
商品概述
W29N01GV(1G位)NAND闪存为空间、引脚和电源受限的嵌入式系统提供存储解决方案。它非常适合将代码映射到RAM、固态应用以及存储语音、视频、文本和照片等媒体数据。该器件采用2.7V至3.6V单电源供电,工作电流低至25mA,CMOS待机电流为10μA。内存阵列总计138,412,032字节,并按……(原文此处未完整)
- PE-1008CM100JTT
- 70F684AI
- GRM1886T1H7R6DD01D
- GRM188R71A684MA61D
- CLF10040T-4R7N
- DSC1124CE1-100.0000
- 68705-430HLF
- HLMP-CM15-WXBDD
- SIE501.5LT
- 68004-212HLF
- HKQ0603U3N7S-T
- RC12JT5M60
- S0603-56NG1D
- T491D106M035ZT
- 1812JA250121MSRSYX
- 68604-221HLF
- GRM1555C1E9R6CZ01D
- M29W640GB70N3E
- AHA336M50X16B-F
- ASTMUPCE-33-3.6864MHZ-LJ-E-T3
- C907U409CZNDCAWL35

