M34C02-WMN6T

2Kbit I2C串行EEPROM

SMT扩展库PCB免费打样

私有库下单最高享92折

描述: M34C02是一款2Kbit串行EEPROM，支持I2C接口，适用于DRAM DIMM的串行存在检测。具有软件数据保护功能，可永久锁定前半部分数据。
品牌名称: ST(意法半导体)
商品型号: M34C02-WMN6T
商品编号: C19480903
商品封装: SO-8
包装方式: 袋装
商品毛重: 0.194克(g)

商品参数

	属性	参数值
	功能特性	软件写保护功能；内置上电复位(POR)；硬件写保护功能
	工作电压	2.5V~5.5V
	工作温度	-40℃~+85℃
	工作电流	2mA
	待机电流	1uA
	读取访问时间(tA)	900ns

商品概述

M34C02是一款2Kbit串行EEPROM存储器，可永久锁定其前半部分（从00h到7Fh地址）的数据。该设备专为DRAM DIMM（双列直插内存模块）的Serial Presence Detect设计，内存前半部分可通过特殊软件写保护机制实现永久写保护，整个内存区域也可通过WC输入实现写保护。它兼容I²C协议，组织形式为256x8位，内置4位设备类型标识符（1010用于访问内存区域，0110用于访问保护寄存器），结合三个芯片使能输入（E2、E1、E0），最多可将8个2Kbit设备连接到I²C总线并单独选择。设备作为I²C协议中的从设备，所有内存操作由串行时钟同步。读写操作由总线主设备生成的START条件启动，随后是设备选择码和RW位，以确认位结束。写入数据时，内存在总线主设备8位传输后的第9位时间插入确认位；读取数据时，总线主设备以相同方式确认数据字节接收。数据传输在WRITE操作的Ack后或READ操作的NoAck后由STOP条件终止。设备包含电源复位（POR）电路，防止上电期间数据损坏和意外写入操作，Vcc达到POR阈值前内部复位保持有效，所有操作禁用；Vcc从工作电压降至POR阈值以下时，所有操作也禁用。应用逻辑信号前需施加稳定有效的Vcc。

商品特性

前128字节软件数据保护
双线I²C串行接口
支持100kHz和400kHz传输速率
不同型号供电电压范围：M34C02-W为2.5至5.5V（最高400kHz），M34C02-L为2.2至5.5V（最高400kHz），M34C02-R为1.8至5.5V（最高100kHz），M34C02-F为1.7至3.6V（最高100kHz）
支持字节和页写入（最多16字节）
支持随机和顺序读取模式
自定时编程周期
自动地址递增
增强型ESD/闩锁保护
超过100万次擦写循环
超过40年数据保留
封装类型包括PDIP8（BN）、SO8（MN，150mil宽度）、VFDFPN8（MM，2x3mm²）、TSSOP8（DW，169mil宽度）、TSSOP8（DS，3x3mm²主体尺寸）
串行时钟（SCL）：输入信号，用于选通数据进出，开漏输出时需上拉电阻
串行数据（SDA）：双向信号，开漏输出，需上拉电阻
芯片使能（E0、E1、E2）：输入信号，用于设置设备选择码的低三位，需接Vcc或Vss
写控制（WC）：输入信号，低电平允许写操作，高电平禁用写操作

应用领域

DRAM DIMM（双列直插内存模块）的Serial Presence Detect场景
需长期数据保留和多次擦写的存储应用
基于I²C总线的多设备连接系统

数据手册PDF

放大查看下载PDF

	属性	参数值
	商品目录	EEPROM
	接口类型	I2C
	存储容量	2Kbit
	时钟频率(fc)	100kHz~400kHz
	写周期时间(Tw)	10ms
	数据保留 - TDR(年)	40年
	写周期寿命	100万次