- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
RJP65T54DPM-A0#T2
RJP65T54DPM-A0#T2
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- 品牌名称
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- 商品型号
- RJP65T54DPM-A0#T2
- 商品编号
- C19467077
- 商品封装
- TO-3PFP
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.206克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | - | |
| 耗散功率(Pd) | 63.5W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 650V | |
| 集电极电流(Ic) | 30A | |
| 集电极脉冲电流(Icm) | 225A | |
| 集电极截止电流(Ices) | - | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 1.35V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 72nC@400V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 1.4nF | |
| 输出电容(Coes) | 42pF | |
| 反向传输电容(Cres) | 30pF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 35ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 120ns | |
| 导通损耗(Eon) | 330uJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 760uJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | - | |
| 工作温度 | - |
商品特性
- 低集电极 - 发射极饱和电压VCE(sat)=1.35V（典型值）（在IC = 30A、VGE = 15V、Ta = 25℃时）
- 隔离封装
- 沟槽栅和薄晶圆技术（G7H系列）
- 高速开关
- 工作频率(50Hz ≤ f < 20kHz)
- 不保证短路耐受时间
应用领域
部分开关电路