S25FL208K0RMFI040
8-Mbit 3.0V 串行闪存，统一 4 kB 扇区
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- S25FL208K0RMFI040
- 商品编号
- C19459862
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | NOR FLASH | |
| 接口类型 | SPI | |
| 存储容量 | 8Mbit | |
| 时钟频率(fc) | 76MHz | |
| 工作电压 | 2.7V~3.6V | |
| 擦写寿命 | 100000次 |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 页写入时间(Tpp) | 1.5ms | |
| 块擦除时间(tBE) | 500ms@(64KB) | |
| 数据保留 - TDR(年) | 20年 | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 功能特性 | 硬件写保护；写使能锁存；软件写保护；上电复位 |
商品概述
S25FL208K（8兆位、1024千字节）串行闪存存储器，具备先进的写保护机制。S25FL208K支持标准串行外设接口（SPI），以及利用SPI引脚实现的高性能双输出：串行时钟、片选、串行SI/IO0、SO、WP#和HOLD#。支持高达76 MHz的SPI时钟频率，双输出读取的时钟速率也为76 MHz。 S25FL208K阵列由4096个可编程页面组成，每个页面256字节。一次最多可编程256字节。页面可以按16个一组（4千字节扇区擦除）、256个一组（64千字节块擦除）或整个芯片（芯片擦除）进行擦除。S25FL208K有256个可擦除扇区和16个可擦除块。小的4千字节扇区为需要数据和参数存储的应用提供了更大的灵活性。 保持引脚、写保护引脚和可编程写保护提供了进一步的控制灵活性。此外，S25FL208K器件支持JEDEC标准的制造商和器件识别。
商品特性
- 单电源操作
- 全电压范围：2.7至3.6V
- 8兆位串行闪存
- 8兆位/1024千字节/4096页
- 每个可编程页面256字节
- 统一的4千字节扇区/64千字节块
- 标准和双模式
- 标准SPI：SCK、CS#、SI、SO、WP#、HOLD#
- 双SPI：SCK、CS#、SI/IO0、SO、WP#、HOLD#
- 快速读取双输出指令
- 自动递增读取能力
- 高性能
- 快速读取（串行）：76 MHz时钟速率
- 双输出读取：76 MHz时钟速率
- 低功耗
- 典型工作电流12 mA
- 典型待机电流15 μA
- 具有4千字节扇区的灵活架构
- 扇区擦除（4千字节）
- 块擦除（64千字节）
- 页面编程最多256字节
- 典型擦除/编程周期100k次
- 典型数据保留时间20年
- 软件和硬件写保护
- 通过软件对全部或部分内存进行写保护
- 通过WP#引脚启用/禁用保护
- 高性能编程/擦除速度
- 页面编程时间：典型1.5 ms
- 扇区擦除时间（4千字节）：典型50 ms
- 块擦除时间（64千字节）：典型500 ms
- 芯片擦除时间：典型7秒
- 封装选项
- 8引脚SOIC 150/208密耳
- 所有无铅封装均符合RoHS标准