SPB02N60S5ATMA1
SPB02N60S5ATMA1
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- SPB02N60S5ATMA1
- 商品编号
- C19455265
- 商品封装
- TO-263-3-2
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.859克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 25W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 9.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 240pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4.4pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 77pF |
商品概述
FH4606K采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷。互补MOSFET可用于构成电平转换的高端开关，以及其他多种应用。
商品特性
-全新革命性高压技术-超低栅极电荷-具备周期性雪崩额定值-具备极高dv/dt额定值-超低有效电容-改善的跨导-针对目标应用通过JEDEC认证
应用领域
- 高频开关和同步整流-DC/DC转换器-表面贴装封装