- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
M58WR064ET70ZB6T
64Mbit 1.8V 供电闪存
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- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- M58WR064ET70ZB6T
- 商品编号
- C19452882
- 商品封装
- VFBGA-56(7.7x9)
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | NOR FLASH | |
| 接口类型 | Parallel | |
| 存储容量 | 64Mbit | |
| 时钟频率(fc) | 54MHz | |
| 工作电压 | 1.65V~2.2V | |
| 待机电流 | - | |
| 擦写寿命 | 100000次 |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 写周期时间(Tw) | 70ns | |
| 页写入时间(Tpp) | - | |
| 块擦除时间(tBE) | - | |
| 数据保留 - TDR(年) | - | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 功能特性 | 硬件写保护；绝对写保护；上电复位 |
商品特性
- 编程、擦除和读取时，VDD = 1.65V 至 2.2V
- I/O 缓冲器的 VDDQ = 1.65V 至 3.3V
- 快速编程（可选）时 VPP = 12V
- 同步突发读取模式：54MHz
- 异步/同步页面读取模式
- 随机访问：70、80、100ns
- 快速工厂编程时典型字编程时间为 8μs
- 双字/四字编程选项
- 增强型工厂编程选项
- 多存储体内存阵列：4Mbit 存储体
- 参数块（顶部或底部位置）
- 可在一个存储体进行编程擦除，同时在其他存储体进行读取
- 读写操作之间无延迟
- 上电时所有块锁定
- 任何块组合都可锁定
- 用于块锁定的 WP（上划线）
- 128 位用户可编程 OTP 单元
- 64 位唯一设备编号
- 一个参数块可永久锁定
- 每个块 100,000 次编程/擦除周期
- 制造商代码：20h
- 顶部设备代码，M58WR064ET：8810h
- 底部设备代码，M58WR064EB：8811h