M93C46-MN6

MICROWIRE串行访问EEPROM

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品牌名称: ST(意法半导体)
商品型号: M93C46-MN6
商品编号: C19449860
商品封装: SO-8
包装方式: 袋装
商品毛重: 0.194克(g)

商品参数

商品概述

M93C86、M93C76、M93C66、M93C56和M93C46是电可擦除可编程存储器（EEPROM）设备。它们通过串行数据输入（D）和串行数据输出（Q），使用MICROWIRE总线协议进行访问。存储器阵列组织可以分为字节（x8）或字（x16），可通过组织选择（ORG）上施加的信号进行选择。M93Cx6通过一组指令进行访问。读取存储器数据（READ）指令将第一个要读取的字节或字的地址加载到内部地址寄存器中，然后该地址的数据被串行输出。数据输出后地址寄存器自动递增，如果片选输入（S）保持高电平，M93Cx6可以输出连续的数据流。编程是内部自定时的。

商品特性

行业标准MICROWIRE总线
单电源电压：M93Cx6为4.5 V至5.5 V；M93Cx6 - W为2.5 V至5.5 V；M93Cx6 - R为1.8 V至5.5 V
双组织方式：按字（x16）或字节（x8）
编程指令可作用于字节、字或整个存储器
自定时编程周期，带自动擦除功能：5 ms
编程期间有READY/BUSY信号
2 MHz时钟速率
顺序读取操作
增强的ESD/闩锁性能
超过100万次写入周期
超过40年数据保留时间
封装：SO8、TSSOP8、UFDFPN8封装为ECOPACK2（符合RoHS标准且无卤素）；PDIP8封装为ECOPACK1（符合RoHS标准）

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	EEPROM
	接口类型	-
	存储容量	1Kbit
	时钟频率(fc)	2MHz
	写周期时间(Tw)	5ms

	属性	参数值
	数据保留 - TDR(年)	40年
	写周期寿命	100万次
	功能特性	内置上电复位(POR)
	工作电压	4.5V~5.5V
	工作温度	-40℃~+85℃