IXTX24N100
商品参数
参数完善中
商品概述
该器件是一款采用具有新型沟槽栅极结构的STripFET™ F6技术开发的N沟道功率MOSFET。由此产生的功率MOSFET在所有封装中均呈现出极低的 RDS(on)。
商品特性
- 国际标准封装
- 低导通电阻(RDS(on))的高密度MOS管工艺
- 坚固的多晶硅栅极单元结构
- 雪崩额定
- 低封装电感
- PLUS 247TM封装,适用于夹片或弹簧安装
- 节省空间
- 高功率密度
应用领域
-DC-DC转换器-电池充电器-开关模式和谐振模式电源-DC斩波器-交流电机驱动器-温度和照明控制