- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
IXTX24N100
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 1kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 24A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 400mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 568W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 267nC | |
| 输入电容(Ciss) | 8.7nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 315pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 785pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
该器件是一款采用具有新型沟槽栅极结构的STripFET™ F6技术开发的N沟道功率MOSFET。由此产生的功率MOSFET在所有封装中均呈现出极低的 RDS(on)。
商品特性
- 国际标准封装
- 低导通电阻(RDS(on))的高密度MOS管工艺
- 坚固的多晶硅栅极单元结构
- 雪崩额定
- 低封装电感
- PLUS 247TM封装,适用于夹片或弹簧安装
- 节省空间
- 高功率密度
应用领域
-DC-DC转换器-电池充电器-开关模式和谐振模式电源-DC斩波器-交流电机驱动器-温度和照明控制