- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
APT35GP120JDQ2
APT35GP120JDQ2
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 品牌名称
- MICROCHIP(美国微芯)
- 商品型号
- APT35GP120JDQ2
- 商品编号
- C19448760
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | - | |
| 耗散功率(Pd) | 284W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 1.2kV | |
| 集电极电流(Ic) | 64A | |
| 集电极脉冲电流(Icm) | 140A | |
| 集电极截止电流(Ices) | - | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 3V；3.3V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 4.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 150nC@15V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 3.24nF | |
| 输出电容(Coes) | 250pF | |
| 反向传输电容(Cres) | 31pF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 16ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 145ns；95ns | |
| 导通损耗(Eon) | 750uJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 1.745mJ；680uJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 380ns；25ns；300ns；160ns | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
POWER MOS 7 IGBT是新一代高压功率IGBT。该IGBT采用穿通技术，非常适合许多高频、高压开关应用，并且针对高频开关模式电源进行了优化。
商品特性
- 低传导损耗
- RBSOA额定
- 低栅极电荷
- 超快速尾部电流关断
- C1353ALBA7-G72
- 87900-420HLF
- GRM0336T1E2R1CD01D
- SIT3808AI-G3-33NZ-24.576000X
- 1812JA250150GKRUYS
- 1812JA250392KSTSYS
- 5VT 2.5-R
- KB26CKG01-5C05-JB
- CDRH4D28-180NC
- MCH185FN472ZK
- NKN-50FR-52-3R3
- AT93C46Y1-10YU-1.8
- 68024-216
- NKN3WSFR-73-6R8
- SDR2207-220Y
- ASTMUPCFL-33-33.000MHZ-LY-E-T
- BQ27620EVM
- PT4121A
- C320C333K5R5CA
- DE21XSA100KJ3BY02F
- DSC1123CE2-062.0000