- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
MX25L6465EMI-10G
64/128M位[X1/X2/X4]CMOS串行多I/O闪存存储器
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- 品牌名称
- MXIC(旺宏电子)
- 商品型号
- MX25L6465EMI-10G
- 商品编号
- C19446248
- 商品封装
- SOP-16
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | NOR FLASH | |
| 接口类型 | SPI | |
| 存储容量 | 64Mbit | |
| 时钟频率(fc) | 104MHz | |
| 工作电压 | 2.7V~3.6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 待机电流 | 50uA | |
| 擦写寿命 | 100000次 | |
| 页写入时间(Tpp) | 1.4ms | |
| 数据保留 - TDR(年) | 20年 | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ |
商品特性
- 高性能
- 支持多种串行模式，包括正常串行模式、双倍传输速率串行读取模式等
- 具备多种命令操作，如写使能、写禁止、读取识别信息、读取状态寄存器等
- 有数据保护功能，包括不同的保护区域大小和安全OTP定义
- 支持多种擦除和编程操作，如扇区擦除、块擦除、页编程等
- 具备深功率下降模式和从深功率下降模式释放功能
- 支持读取电子签名、制造商ID和设备ID等
- 有安全寄存器相关操作，如读取、写入安全寄存器等
- 支持单块锁定/解锁保护、组块锁定/解锁等功能
- 可清除状态寄存器失败标志
- 支持使能或禁止SO输出RY/BY#信号
- 支持读取串行闪存可发现参数模式
- M28W160CB70N6E
- GQM2195C2A5R6BB01D
- HLMP-EL26-SV0DD
- UPS835LE3/TR13
- ECO-S1EA332BA
- 1812YA250181MSRUYS
- 3SB 250-R
- ECQ-V1J184JM3
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- SD3110-8R2-R
- ERB1885C2E3R9WDX1J
- GRM1556S1H3R6CZ01D
- SCTH2010-100
- STEVAL-MKI124V1
- TG2016SBN 16.8000M-PCGNDM3
- TCS3404CS
- 333-2UYC/H3/S400-A6
- 5HF 800
- 68653-101HLF
- 78511-432HLF
- C317C100J2G5CA