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IDT70825L20PF

高速8Kx16顺序访问随机存取存储器

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品牌名称: RENESAS(瑞萨)/IDT
商品型号: IDT70825L20PF
商品编号: C19446140
商品封装: TQFP-80(14x14)
包装方式: 袋装
商品毛重: 1克(g)

商品参数

商品概述

IDT70825是一款高速8K x 16位顺序访问随机存取存储器（SARAM）。该SARAM提供了一种单芯片解决方案，可在一个端口上顺序缓冲数据，并通过另一个端口随机（异步）访问数据。该器件采用基于双端口RAM的架构，随机（异步）访问端口具有标准SRAM接口，顺序（同步）访问端口具有带计数器的时钟接口。

该存储器件采用CMOS高性能技术制造，在最高高速时钟到数据和随机访问时，通常功耗低于775mW。由CE（上划线）控制的自动掉电功能允许每个端口的片上电路进入极低的待机功耗模式。

IDT70825采用80引脚薄型四方扁平封装（TQFP）或84引脚针栅阵列（PGA）封装。

商品特性

高速访问
- 商用：20/25/35/45ns（最大值）
低功耗运行
- IDT70825S
  - 工作状态：775mW（典型值）
  - 待机状态：5mW（典型值）
- IDT70825L
  - 工作状态：775mW（典型值）
  - 待机状态：1mW（典型值）
8K x 16顺序访问随机存取存储器（SARAM）
- 一个端口顺序访问，另一个端口标准随机访问
- 随机访问端口的上字节和下字节独立控制
- 高速运行
  - 随机访问端口的访问时间tAA为20ns
  - 顺序端口的周期时间tcd为20ns
  - 时钟周期时间为25ns
基于双端口RAM单元的架构
- 与英特尔BMIC和82430 PCI套件兼容
宽度和深度可扩展
- 顺序侧
  - 基于地址的标志用于缓冲区控制
  - 指针逻辑支持最多两个内部缓冲区
电池备份操作 - 2V数据保留
TTL兼容，单5V（±10%）电源
提供80引脚TQFP和84引脚PGA封装
部分速度可选工业温度范围（-40°C到+85°C）

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	静态随机存取存储器(SRAM)
	接口类型	并口(Parallel)
	存储容量	128Kbit
	工作电压	4.5V~5.5V

	属性	参数值
	读写时间	20ns
	工作温度	0℃~+70℃
	工作电流	330mA