M29W256GL7AN6F
M29W256GL7AN6F
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- 品牌名称
- micron(镁光)
- 商品型号
- M29W256GL7AN6F
- 商品编号
- C19438004
- 商品封装
- TSOP-56
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | NOR FLASH | |
| 接口类型 | Parallel | |
| 存储容量 | 256Mbit | |
| 工作电压 | 2.7V~3.6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 擦写寿命 | 100000次 | |
| 写周期时间(Tw) | 70ns | |
| 数据保留 - TDR(年) | 20年 | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ |
商品特性
- 电源电压：
- VCC = 2.7 - 3.6V（编程、擦除、读取）
- VCCQ = 1.65 - 3.6V（I/O缓冲器）
- VPPH = 12V，用于快速编程（可选）
- 异步随机/页读取
- 页大小：8字或16字节
- 页访问时间：25ns、30ns
- 随机访问时间：60ns、70ns、80ns
- 快速编程命令：32字（64字节）写缓冲器
- 增强型缓冲编程命令：256字
- 编程时间：
- 每字节/字16μs（典型值）
- 芯片编程时间：使用VPPH时为10s，不使用VPPH时为16s
- 内存组织：
- 统一块：256个主块，每个128KB或64K字
- 编程/擦除控制器
- 嵌入式字节/字编程算法
- 编程/擦除暂停和恢复功能
- 在编程暂停操作期间可从任何块读取
- 在擦除暂停操作期间可读取或编程另一个块
- 解锁旁路、块擦除、芯片擦除、写入缓冲器和编程
- 快速缓冲/批量编程
- 快速块/芯片擦除
- VPP/WP#引脚保护
- 无论块保护设置如何，均可保护第一个或最后一个块
- 软件保护：
- 易失性保护
- 非易失性保护
- 密码保护
- 扩展内存块：
- 128字（256字节）内存块，用于永久、安全识别
- 可在工厂或由客户进行编程或锁定
- 通用闪存接口：
- 64位安全代码
- 低功耗：待机和自动模式
- 符合JESD47H标准
- 每个块最少100,000次编程/擦除周期
- 数据保留时间：20年（典型值）
- 采用65nm单级单元（SLC）工艺技术
- 采用强化BGA、TBGA和TSOP封装
- 提供“绿色”封装
- 符合RoHS标准
- 无卤
- 汽车设备等级（6）温度：-40°C ~ +85°C（汽车等级认证）
- 汽车设备等级（3）温度：-40°C ~ +125°C（汽车等级认证）