- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
BQ4015LYMA-70N
512 k × 8 非易失性 SRAM (5 V, 3.3 V)
- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- BQ4015LYMA-70N
- 商品编号
- C19437556
- 商品封装
- DIP-32
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | nvSRAM(掉电保持) |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 功能特性 | 自动存储功能；低电压自动写保护 |
商品概述
CMOS bq4015/Y/LY是一款非易失性4,194,304位静态RAM，组织形式为524,288字×8位。集成控制电路和锂能源提供可靠的非易失性，同时具备标准SRAM的无限写入周期。控制电路持续监控单电源是否超出容差范围。当VCC超出容差时，SRAM会无条件地进行写保护，以防止意外写入操作。此时，集成能源源开启，以维持内存，直到VCC恢复正常。bq4015/Y/LY采用极低待机电流的CMOS SRAM，并结合小型锂硬币电池，无需长写入周期时间，也没有与EEPROM相关的写入周期限制。bq4015/Y/LY无需外部电路，并且与行业标准的4-Mb SRAM引脚兼容。当电源正常时，bq4015/Y/LY作为标准CMOS SRAM运行。在掉电和上电周期中，bq4015/Y/LY作为非易失性存储器，自动保护和保存内存内容。掉电/上电控制电路持续监控VCC电源，以检测电源故障检测阈值VPFD。bq4015在5V系统中，典型监控VPFD = 4.62V，电源容差为5%。bq4015Y在5V系统中，典型监控VPFD = 4.37V，电源容差为10%。bq4015LY在3.3V系统中，典型监控VPFD = 2.90V。当VCC低于VPFD阈值时，SRAM自动对数据进行写保护。所有输出变为高阻抗，所有输入被视为无关。如果在检测到电源故障时正在进行有效访问，内存周期将继续完成。如果内存周期未能在时间tWPT内终止，则进行写保护。当VCC降至VPFD以下并接近VSO时，控制电路切换到内部锂备用电源，该电源可提供数据保留，直到施加有效的VCC。当VCC恢复到高于内部备用电池电压的水平时，电源切换回VCC。在VCC上升到VPFD阈值以上后，写保护将持续一段时间tCER（5V系统中最大120ms，3.3V系统中最大85ms），以允许处理器稳定。此后，可恢复正常的内存操作。bq4015/Y/LY使用的内部硬币电池具有极长的保质期，在系统电源缺失的情况下，可提供超过10年的数据保留。从德州仪器发货时，MT型模块的集成锂电池与内存电隔离（在此状态下，自放电约为每年0.5%）。首次施加VCC后，这种隔离被打破，锂备用电池在后续掉电时提供数据保留。
商品特性
- 无电源情况下数据至少保留10年
- 上电/掉电周期自动写保护
- 常规SRAM操作，包括无限写入周期
- 上电前电池内部隔离
- 5V或3.3V工作
- 行业标准32引脚DIP封装