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MX29GL512EHT2I-10Q

单电压3V闪存

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品牌名称: MXIC(旺宏电子)
商品型号: MX29GL512EHT2I-10Q
商品编号: C19435634
商品封装: TSOP-56
包装方式: 袋装
商品毛重: 1克(g)

商品参数

商品概述

MX29GL512E产品系列不建议用于新设计。MX29GL512F系列是推荐的替代品。请参考MX29GL512F数据手册以获取完整规格和订购信息，或联系当地销售代表以获取更多支持。

该设备的框图展示了其简化架构。框图中的每个块代表实际芯片中用于访问、擦除、编程和读取存储阵列的一个或多个电路模块。“控制输入逻辑”块接收输入引脚CE#、OE#、WE#、RESET#、BYTE#和WP#/ACC，根据输入引脚创建内部定时控制信号，并输出到“地址锁存器和缓冲器”以锁存外部地址引脚A0 - AM。内部地址从该块输出到由“X解码器”、“Y解码器”、“Y通道门”和“闪存阵列”组成的主阵列和解码器。X解码器对闪存阵列的字线进行解码，而Y解码器对闪存阵列的位线进行解码。位线通过Y通道门选择性地与“感测放大器”和“编程数据高压”电连接。感测放大器用于读出闪存的内容，而“编程数据高压”块用于在编程期间有选择地向位线提供高功率。“输入/输出缓冲器”控制Q0 - Q15/A - 1焊盘上的输入和输出。在读取操作期间，输入/输出缓冲器从感测放大器接收数据并相应地驱动输出焊盘。在编程命令的最后一个周期，输入/输出缓冲器将Q0 - Q15/A - 1上的数据传输到“编程数据锁存器”，该锁存器根据用户输入模式控制“编程数据高压”中的高功率驱动器，有选择地对一个字或字节中的位进行编程。

“编程/擦除高压”块包括生成并向X解码器、闪存阵列和“编程数据高压”块提供必要高压的电路。逻辑控制模块由“写状态机（WSM）”、“状态寄存器”、“命令数据解码器”和“命令数据锁存器”组成。当用户通过切换WE#发出命令时，Q0 - Q15/A - 1上的命令被锁存在命令数据锁存器中，并由命令数据解码器进行解码。状态寄存器接收命令并记录设备的当前状态。写状态机根据当前命令状态通过控制框图中的每个块来实现编程或擦除的内部算法。

主闪存阵列可以组织为字节模式（x8）或字模式（x16）。地址范围和相应扇区地址的详细信息如表1所示。

商品特性

读写和编程操作电压为2.7至3.6伏
字节/字模式可切换
67,108,864 x 8 / 33,554,432 x 16
64KW/128KB统一扇区架构
512个相等扇区
16字节/8字页读取缓冲区
64字节/32字写入缓冲区
额外的128字扇区用于安全
具有工厂锁定和可识别功能，且客户可锁定
先进的扇区保护功能（实体和密码保护）
符合JEDEC标准
引脚和软件与单电源闪存兼容
高性能
快速访问时间：110ns（VCC = 2.7~3.6V），100ns（VCC = 3.0~3.6V）
页访问时间：25ns
快速编程时间：10us/字
快速擦除时间：0.5s/扇区
低功耗
低有源读取电流：5MHz时典型值为10mA
低待机电流：典型值为40uA
典型的100,000次擦除/编程循环
20年数据保留
编程/擦除暂停和编程/擦除恢复状态回复
数据#轮询和切换位可检测编程和擦除操作完成情况
支持通用闪存接口（CFI）
就绪/忙#（RY/BY#）输出
提供检测编程和擦除操作完成的硬件方法
硬件复位（RESET#）输入
提供将内部状态机重置为读取模式的硬件方法
WP#/ACC输入引脚
硬件写保护引脚/提供加速编程能力
56引脚TSOP
64球LFBGA（11mm x 13mm）
70引脚SSOP
所有器件均符合RoHS标准且无卤素

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	NOR FLASH
	接口类型	Parallel
	存储容量	512Mbit
	时钟频率(fc)	5MHz
	工作电压	2.7V~3.6V

	属性	参数值
	待机电流	40uA
	擦写寿命	100000次
	数据保留 - TDR(年)	20年
	工作温度	-40℃~+85℃