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LMUN2132LT1G
带单片偏置电阻网络的偏置电阻晶体管
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- 描述
- 这种新型数字晶体管系列旨在取代单个器件及其外部电阻偏置网络。偏置电阻晶体管（BRT）包含一个带有由两个电阻组成的单片偏置网络的晶体管，即一个串联基极电阻和一个基极-发射极电阻。BRT通过将这些独立组件集成到单个器件中，消除了这些组件。使用BRT可以降低系统成本并减少电路板空间。该器件采用SOT-23封装，专为低功率表面贴装应用而设计。
- 品牌名称
- LRC(乐山无线电)
- 商品型号
- LMUN2132LT1G
- 商品编号
- C189898
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.031克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 数字晶体管 | |
| 数量 | - | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 50V | |
| 集电极电流(Ic) | 100mA | |
| 耗散功率(Pd) | 246mW | |
| 晶体管类型 | PNP |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 直流电流增益(hFE) | 15@5.0mA,10V | |
| 输出电压(VO(on)) | 200mV | |
| 输入电阻 | 6.1kΩ | |
| 电阻比率 | 1 | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款全新系列的数字晶体管旨在取代单个器件及其外部电阻偏置网络。BRT（偏置电阻晶体管）包含一个带有由两个电阻组成的单片偏置网络的单晶体管；一个串联基极电阻和一个基极 - 发射极电阻。BRT通过将这些独立组件集成到单个器件中而省去了它们。使用BRT可降低系统成本并节省电路板空间。该器件采用SOT - 23封装，专为低功率表面贴装应用设计。
商品特性
- 简化电路设计
- 节省电路板空间
- 减少元件数量
- SOT - 23封装可采用波峰焊或回流焊。改进的鸥翼式引脚在焊接过程中可吸收热应力，消除芯片受损的可能性。
- 提供8毫米压纹带盘包装。使用器件编号订购7英寸/3000个装的带盘。将器件编号中的“T1”替换为“T3”，可订购13英寸/10000个装的带盘。
- 我们声明产品材料符合RoHS要求。