MT28F400B5WG-8 TET

4Mb SMART 5 启动块闪存

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品牌名称: micron(美光)
商品型号: MT28F400B5WG-8 TET
商品编号: C19427101
商品封装: TSOPI-48
包装方式: 袋装
商品毛重: 1克(g)

商品参数

商品概述

MT28F004B5（x8）和MT28F400B5（x16、x8）是非易失性、电可块擦除（闪存）、可编程只读存储器，包含4194304位，组织为262144字（16位）或524288字节（8位）。使用5V VPP电压进行设备的写入或擦除，而所有操作均使用5V VCC进行。由于工艺技术的进步，5V VPP对于应用和生产编程是最优的。这些设备采用美光先进的0.18μm CMOS浮栅工艺制造。 MT28F004B5和MT28F400B5被组织成七个可单独擦除的块。为确保关键固件免受意外擦除或覆盖，这些设备具有硬件保护的引导块。写入或擦除引导块需要向RP#引脚施加超电压，或在执行正常写入或擦除序列的同时将WP#驱动为高电平。此块可用于存储在低级系统恢复中实现的代码。其余块的密度不同，并且在没有额外安全措施的情况下进行写入和擦除。

商品特性

七个擦除块：
- 16KB/8K字引导块（受保护）
- 两个8KB/4K字参数块
- 四个主存储块
Smart 5技术（B5）：
- 5V ±10% VCC
- 5V ±10% VPP应用/生产编程
先进的0.18μm CMOS浮栅工艺
- 与0.3μm Smart 5设备兼容
地址访问时间：80ns
- 100000次擦除循环
- 行业标准引脚排列
输入和输出完全与TTL兼容
自动写入和擦除算法
双周期写入/擦除序列
字节或字宽读取和写入（MT28F400B5，256K x 16/512K x 8）
仅字节宽读取和写入（MT28F004B5，512K x 8）
TSOP和SOP封装选项

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	NOR FLASH
	接口类型	Parallel
	存储容量	4Mbit
	时钟频率(fc)	-
	工作电压	4.5V~5.5V
	待机电流	-
	擦写寿命	100000次

	属性	参数值
	写周期时间(Tw)	-
	页写入时间(Tpp)	-
	块擦除时间(tBE)	-
	数据保留 - TDR(年)	-
	工作温度	-40℃~+85℃
	功能特性	-