STL120N2VH5
STL120N2VH5
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- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STL120N2VH5
- 商品编号
- C19426697
- 商品封装
- PowerFLAT(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.171克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 80W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 29nC@2.5V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
该器件是采用STripFET V技术开发的N沟道功率MOSFET。该器件经过优化,可实现极低的导通电阻,其品质因数(FOM)在同类产品中处于领先水平。
商品特性
- 提高芯片与封装尺寸比
- 超薄封装
- 极低的热阻
- 降低传导损耗
- 降低开关损耗
- 2.5 V栅极驱动
- 极低阈值器件
应用领域
- 开关应用
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