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AT28HC256-70PI

高速、低功耗、高可靠性 EEPROM

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品牌名称: MICROCHIP(美国微芯)
商品型号: AT28HC256-70PI
商品编号: C19422328
商品封装: PDIP-28
包装方式: 袋装
商品毛重: 1克(g)

商品参数

	属性	参数值
	写周期寿命	1万次
	功能特性	软件写保护功能；硬件写保护功能；内置错误纠正码(ECC)功能
	工作电压	4.5V~5.5V
	工作温度	-40℃~+85℃

商品概述

AT28HC256是一款高性能电可擦除可编程只读存储器。其256K的内存组织为32,768字×8位。采用爱特梅尔（Atmel）先进的非易失性CMOS技术制造，AT28HC256的访问时间可达70 ns，功耗仅440 mW。当AT28HC256未被选中时，待机电流小于5 mA。 AT28HC256在读写周期的操作方式与静态随机存取存储器（SRAM）类似，无需外部组件。该器件包含一个64字节的页寄存器，允许同时写入多达64字节的数据。在写周期期间，地址和1至64字节的数据会在内部锁存，从而释放地址和数据总线以供其他操作使用。写周期启动后，器件将使用内部控制定时器自动写入锁存的数据。通过对I/O7进行数据轮询可以检测写周期的结束。一旦检测到写周期结束，就可以开始新的读写访问。爱特梅尔的28HC256具有额外的特性，以确保高质量和可制造性。该器件利用内部纠错功能来延长使用寿命并改善数据保留特性。还提供可选的软件数据保护机制，以防止意外写入。此外，该器件还包含额外的64字节EEPROM，用于设备识别或跟踪。

商品特性

快速读取访问时间 - 70 ns
自动页写入操作
64字节的内部地址和数据锁存器
内部控制定时器
快速写入周期时间
页写入周期时间：最长3 ms或10 ms
1至64字节的页写入操作
低功耗
80 mA工作电流
3 mA待机电流
硬件和软件数据保护
用于检测写入结束的数据轮询
高可靠性CMOS技术
耐用性：10⁴或10⁵个周期
数据保留时间：10年
单5V ± 10%电源
CMOS和TTL兼容的输入和输出
JEDEC批准的字节宽引脚排列
全、商用和工业温度范围
绿色（无铅/无卤化物）封装选项

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	EEPROM
	接口类型	并口(Parallel)
	存储容量	256Kbit
	写周期时间(Tw)	10ms
	数据保留 - TDR(年)	10年