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DS1330YL-100引脚图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

DS1330YL-100

256K非易失性SRAM带电池监测功能

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商品型号
DS1330YL-100
商品编号
C19422150
商品封装
LPM-34​
包装方式
袋装
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录nvSRAM(掉电保持)
属性参数值
功能特性自动存储功能;低电压自动写保护

商品概述

DS1330 256K 非易失性 SRAM 是 262,144 位、完全静态的非易失性 SRAM,组织形式为 32,768 字×8 位。每个非易失性 SRAM 都有一个独立的锂能源和控制电路,该电路持续监测 VCC 是否超出容差范围。当出现这种情况时,锂能源会自动开启,并且无条件启用写保护以防止数据损坏。此外,DS1330 器件具有专门的电路,用于监测 VCC 的状态和内部锂电池的状态。可执行的写周期数量没有限制,并且微处理器接口不需要额外的支持电路。这些器件可以替代 32K×8 SRAM、EEPROM 或闪存组件。DS1330 器件采用薄型模块封装,专为表面贴装应用而设计。

商品特性

  • 内置锂电池可提供超过 10 年的数据保留时间
  • 在 VCC 掉电时自动保护数据
  • 电源监控器在 VCC 掉电时复位处理器,并在 VCC 上升期间保持处理器处于复位状态
  • 电池监控器每天检查剩余电量
  • 读写访问时间最快可达 70 ns
  • 具有无限的写周期耐久性
  • 典型待机电流为 50 μA
  • 可升级 32K×8 SRAM、EEPROM 或闪存设备
  • 锂电池在首次通电前电气断开以保持新鲜度
  • 具有 ±10% VCC 全工作范围(DS1330YL)或可选的 ±5% VCC 工作范围(DS1330BL)
  • 薄型模块封装可适配标准 68 引脚表面贴装 PLCC 插座
  • 可选工业温度范围为 -40°C 至 +85°C,标记为 IND

数据手册PDF