- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
BQ4010YMA-150
8k×8非易失性SRAM
- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- BQ4010YMA-150
- 商品编号
- C19420210
- 商品封装
- DIP-28
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | nvSRAM(掉电保持) |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 功能特性 | 自动存储功能；低电压自动写保护 |
商品概述
bq4010/Y/LY是CMOS工艺的非易失性65536位静态RAM，结构为8192字×8位。集成控制电路与锂能源，结合了可靠的非易失性与标准SRAM的无限次写入周期特性。控制电路持续监测单电源的异常情况，当VCC超出容差范围时，SRAM会被无条件写保护，防止意外写入操作。此时集成能源会接通，维持存储器数据直到VCC恢复正常。bq4010/Y/LY采用极低待机电流的CMOS SRAM，搭配小型锂纽扣电池，可实现非易失性，不存在EEPROM所具有的长写入周期和写入周期限制。bq4010/Y/LY无需外部电路，与工业标准64-Kb SRAM引脚输出兼容。当电源有效时，bq4010/Y/LY作为标准CMOS SRAM工作。在掉电和上电周期中，bq4010/Y/LY作为非易失性存储器工作，自动保护和保存存储器内容。掉电/上电控制电路持续监测VCC电源，检测电源失效阈值VPFD:bq4010的典型VPFD为4.62 V，适用于带5%容差的5 V系统；bq4010Y的典型VPFD为4.37 V，适用于带10%容差的5 V系统；bq4010LY的典型VPFD为2.90 V，适用于3.3 V系统。当VCC降至VPFD阈值以下时，SRAM自动对数据进行写保护。所有输出变为高阻态，所有输入被视为无关。如果电源失效检测时正在进行有效访问，存储周期会继续完成；如果存储周期未能在tWPT时间内终止，则会触发写保护。当VCC下降经过VPFD并接近VSO时，控制电路切换到内部锂备份电源，维持数据保留直到VCC恢复有效。当VCC回升到高于内部备份电池电压后，供电会切回VCC。VCC爬升超过VPFD阈值后，写保护会继续保持一段时间tCER（5 V系统最大120 ms，3.3 V系统最大85 ms），以允许处理器稳定，之后可恢复正常存储操作。bq4010/Y/LY使用的内置纽扣电池具有极长的保存寿命，在无系统电源的情况下可提供超过10年的数据保留时间。出厂时，MT型模块的内置锂电池与存储器电气隔离，该状态下自放电约为每年0.5%；第一次施加VCC后，隔离解除，锂备份可在后续掉电时提供数据保留。
商品特性
- 断电后数据保留至少10年
- 上电/掉电周期期间自动写保护
- 支持传统SRAM操作，包含无限次写入周期
- 通电前内部电池隔离
- 支持5 V或3.3 V工作电压
- 采用工业标准28-Pin DIP引脚输出