DS1350BL-70IND
4096K非易失性SRAM带电池监测
- 商品型号
- DS1350BL-70IND
- 商品编号
- C19414788
- 商品封装
- LPM-34
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | nvSRAM(掉电保持) |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 功能特性 | 自动存储功能;低电压自动写保护 |
商品概述
DS1350 4096K 非易失性 SRAM 是 4,194,304 位、完全静态的非易失性 SRAM,组织形式为 524,288 字×8 位。每个非易失性 SRAM 都有一个独立的锂能源和控制电路,该电路持续监测 VCC 是否超出容差范围。当出现这种情况时,锂能源会自动开启,并且无条件启用写保护以防止数据损坏。此外,DS1350 器件有专门的电路用于监测 VCC 的状态和内部锂电池的状态。执行的写周期数量没有限制,并且微处理器接口不需要额外的支持电路。这些器件可以替代 512K x 8 SRAM、EEPROM 或闪存组件。DS1350 器件采用薄型模块封装,专为表面贴装应用而设计。
商品特性
- 内置锂电池可提供超过 10 年的数据保留时间
- 在 VCC 断电时自动保护数据
- 电源监控器在 VCC 断电时复位处理器,并在 VCC 上升期间使处理器保持复位状态
- 电池监控器每天检查剩余电量
- 读写访问时间最快可达 70 ns
- 写周期耐久性无限制
- 典型待机电流 50 μA
- 可升级 512K x 8 SRAM、EEPROM 或闪存器件
- 锂电池在首次通电前电气断开以保持新鲜度
- 全 ±10% VCC 工作范围(DS1350YL)或可选 ±5% VCC 工作范围(DS1350BL)
- 薄型模块封装可适配标准 68 引脚表面贴装 PLCC 插座
- 可选工业温度范围 -40°C 到 +85°C,标记为 IND
- PS7113L-1A-E4-A
- SC105B-560
- 1808YA250182JJRSYX
- 1808YA250330JGRUYS
- AIUR-02H-6R8K
- LXDC2HL12A-050
- S0603-82NF1B
- ASTMUPCD-33-33.333MHZ-EJ-E-T
- RNS01EE-M6
- RP1-1.5V
- SL1024A230RG
- STEVAL-MKI178V1
- GRM1555C1H8R0BZ01D
- HLMP-6505-L001S
- 1808YA250681GGTU2X
- HLMP-CB14-UX000
- 68466-426HLF
- 69173-428HLF
- AT28C17E-20PI
- NKN7WSFR-73-0R16
- RC12JB330K

