- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
PI5101-EVAL1
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 其他模块 |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 功能特性 | 过载保护；过流保护；热保护；欠压保护 |
商品概述
PI5101 μRDS(on)FET™解决方案将一个高性能的5V、360μΩ沟道MOSFET集成在一个热增强型高密度4.1mm×8mm×2mm焊盘网格阵列（LGA）封装中，可在行业标准SO - 8封装的占位面积内实现世界级性能。PI5101为直流和开关应用提供了前所未有的品质因数，包括RDS(on)×QG、栅极电阻（RG）和封装电感（LDS），优于传统沟槽MOSFET，并能实现极低损耗运行。
将PI2001控制器与PI5101超低RDS(on) N沟道MOSFET配合使用，可在稳态运行期间实现非常高的效率和低功耗。PI2001控制器在过正向电流、轻载、反向电流、过压、欠压和过温故障条件下，向系统提供一个低电平有效故障标志输出。欠压和过压阈值可通过外部电阻分压器进行编程。
PI5101 LGA封装与行业标准SMT组装工艺完全兼容。