CTLDM3590 TR
CTLDM3590 TR
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- 品牌名称
- Central(中环)
- 商品型号
- CTLDM3590 TR
- 商品编号
- C19408838
- 商品封装
- XFDFN-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.056克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 160mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 125mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 3pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 9pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 25pF |
商品概述
CENTRAL SEMICONDUCTOR公司的CTLDM3590是一款增强型N沟道MOSFET,适用于高速脉冲放大器和驱动器等应用。该MOSFET具有低RDS(ON)、低阈值电压和极低栅极电荷的特性。
商品特性
- 高达 2 kV 的静电放电(ESD)保护
- 功耗:125 mW
- 低 rDS(ON)
- 低阈值电压
- 超小、超薄的0.6mm x 0.8mm x 0.4mm TLM无引脚表面贴装封装
应用领域
-负载/电源开关-升压/降压转换器-电池充电/电源管理