- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
DS1230AB-70
256k非易失性SRAM
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- 商品型号
- DS1230AB-70
- 商品编号
- C19401557
- 商品封装
- EDIP-28
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | nvSRAM(掉电保持) | |
| 接口类型 | 并口(Parallel) | |
| 存储容量 | 256Kbit | |
| 工作电压 | 4.75V~5.25V | |
| 工作电流 | 85mA | |
| 待机电流 | 150uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 读写时间 | 70ns | |
| 循环次数 | - | |
| 数据保留 - TDR(年) | 10年 | |
| 工作温度 | 0℃~+70℃ | |
| 功能特性 | 自动存储功能；低电压自动写保护 |
- GRM1556P1H4R7CZ01D
- MIC2566-1BM-TR
- 1808YA250120KKTS2X
- A6S-2102
- FLA.2S.250.ZTA
- MIN02-002C3R9D-F
- UWX1C101MCR1GB
- PM1608S-103M
- RPE5C2A180J2K1Z03B
- 2211YA250561KSTUYX
- EYP-2MT102B
- GRM1886P2A2R0CZ01D
- 87900-428HLF
- ELJ-QF2N7DF
- 23012500001
- ASTMUPCV-33-27.000MHZ-LY-E-T3
- B048F320T30
- ELC-09D221F
- PT6103N
- CGA4J2C0G1H103J
- GRM1886T1H3R0CD01D