M34C02-LDW6T

2Kbit串行I2C总线EEPROM用于DIMM串行存在检测

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品牌名称: ST(意法半导体)
商品型号: M34C02-LDW6T
商品编号: C19391551
商品封装: TSSOP-8
包装方式: 袋装
商品毛重: 0.147克(g)

商品参数

	属性	参数值
	功能特性	软件写保护功能；内置上电复位(POR)；硬件写保护功能
	工作电压	2.2V~5.5V
	工作温度	-40℃~+85℃
	工作电流	2mA
	待机电流	1uA
	读取访问时间(tA)	900ns

商品概述

M34C02是一款2Kbit串行EEPROM存储器，可永久锁定其前半部分（地址00h至7Fh）的数据。该功能专为DRAM DIMM（双列直插内存模块）的串行存在检测设计，DRAM模块的配置信息（如访问速度、大小、组织方式）可写保护在存储器的前半部分。存储器的下半部分可通过特殊设计的软件写保护机制进行写保护，发送特定序列后，前128字节将永久写保护且不可逆转。此外，设备允许通过WC输入（例如将该输入连接到VCC）对整个内存区域进行写保护。

商品特性

前128字节软件数据保护
双线I²C串行接口
支持100kHz和400kHz传输速率
单电源电压：M34C02-W为2.5至5.5V（最高400kHz）；M34C02-L为2.2至5.5V（最高400kHz）；M34C02-R为1.8至5.5V（最高400kHz）；M34C02-F为1.7至3.6V（最高100kHz）
字节和页写入（最多16字节）
随机和顺序读取模式
自定时编程周期
自动地址递增
增强型ESD/闩锁保护
超过100万次擦写循环
超过40年数据保留
封装类型包括ECOPACK®（符合RoHS标准）、PDIP8（BN）、TSSOP8（DW，169mil宽度）、TSSOP8（DS，3×3mm²体尺寸MSOP）、UFDFPN8（MB，2×3mm²MLP）

应用领域

DRAM DIMM（双列直插内存模块）的串行存在检测

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	EEPROM
	接口类型	I2C
	存储容量	2Kbit
	时钟频率(fc)	400kHz
	写周期时间(Tw)	10ms
	数据保留 - TDR(年)	40年
	写周期寿命	100万次