GKI03026

CMS45P03H8-HF是一款高性能沟槽P沟道MOSFET，具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻RDS(ON)和栅极电荷。 CMS45P03H8-HF符合RoHS标准和绿色产品要求，100%经过EAS测试，具备全面的功能可靠性认证。

• 漏源击穿电压(V(BR)DSS):30 V(漏极电流 ID = 100 μA)
• 漏极电流(ID):40 A
• 导通电阻(RDS(ON)):最大 3.0 mΩ(栅源电压 VGS = 10 V,漏极电流 ID = 68.0 A)
• 总栅极电荷(Qg):25.8 nC(栅源电压 VGS = 4.5 V,漏源电压 VDS = 15 V,漏极电流 ID = 78.0 A)
• 低总栅极电荷
• 高速开关
• 低导通电阻
• 支持 4.5 V 栅极驱动
• 100% 非钳位感性负载(UIL)测试
• 符合 RoHS 标准

• 直流 - 直流转换器
• 同步整流
• 电源