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商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 连续漏极电流(Id) | 43A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 160mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 890W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 6.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 308nC@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 19nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 24pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.18nF |
商品概述
这些N沟道MOSFET采用先进的加工技术，以实现单位硅面积极低的导通电阻。这一优势，再结合HEXFET功率MOSFET闻名的快速开关速度和坚固耐用的器件设计，为设计人员提供了一种极其高效可靠的器件，可用于电池和负载管理。 标准SOT - 23封装中采用了热增强型大焊盘引线框架，从而生产出业界占位面积最小的HEXFET功率MOSFET。这种被称为Micro3的封装，非常适合印刷电路板空间有限的应用。Micro3的低外形（<1.1mm）使其能够轻松适配超薄应用环境，如便携式电子设备和PCMCIA卡。其热阻和功耗表现优异。
商品特性
- 国际标准封装
- miniBLOC封装,采用氮化铝隔离
- 雪崩额定
- 封装电感低
- 本征二极管速度快
- 栅极驱动要求低
- 功率密度高
应用领域
- 开关模式和谐振模式电源
- DC-DC转换器
- 激光驱动器
- 交流和直流电机驱动器
- 机器人和伺服控制