SCT52A40是一款宽电源、高频栅极驱动器，包含高边和低边驱动器，用于半桥、全桥和降压转换器中驱动分立式N沟道MOSFET。其4A峰值源电流和灌电流能力提升了功率转换器的效率。该器件具有宽输入迟滞，兼容TTL低电压逻辑，能够处理低至-10V的负输入，增强了输入抗噪能力。HS引脚上可承受最大-18V电压的能力，极大地扩展了SCT52A40应对开关节点噪声的应用灵活性。40ns的最小脉宽使其适用于高频功率转换器应用。该器件提供8V至24V的宽电源轨，可驱动高边和低边N沟道MOSFET，具有高达120V的自举电源电压范围、集成自举二极管、TTL兼容输入、252μA静态电流、45ns传播延迟时间、2ns延迟匹配、带1000pF负载时7ns上升和4.5ns下降时间、15ns输入消隐时间、电源轨欠压锁定功能，工作温度范围为-40°C ~ 150°C，并提供SOP-8L、ESOP-8L、DFN-9L 3mm x 3mm、DFN-10L 3mm x 3mm以及DFN-8L 4mm x 4mm封装。

	属性	参数值
	商品目录	栅极驱动芯片
	驱动配置	低边；高边；全桥；半桥
	负载类型	MOSFET
	驱动通道数	2
	灌电流(IOL)	4A
	拉电流(IOH)	4A
	工作电压	8V~24V
	上升时间(tr)	7ns
	下降时间(tf)	4.5ns

	属性	参数值
	传播延迟 tpLH	-
	传播延迟 tpHL	-
	特性	欠压保护(UVP)
	工作温度	-40℃~+150℃
	输入高电平(VIH)	2.1V~2.4V
	输入低电平(VIL)	800mV~1V
	静态电流(Iq)	252uA
	功能特性	内置自举二极管；交错导通保护

SCT52A40STDR

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