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S25FL204K0TMFI010

4-Mbit 3.0 V SPI Flash Memory

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品牌名称: Infineon(英飞凌)
商品型号: S25FL204K0TMFI010
商品编号: C19387878
商品封装: SOIC-8
包装方式: 袋装
商品毛重: 1克(g)

商品参数

商品概述

S25FL204K（4 Mbit、512 kB）串行闪存存储器，具备先进的写保护机制。S25FL204K支持标准串行外设接口（SPI），以及使用SPI引脚的高性能双输出：串行时钟、片选、串行SI/IO0、SO、WP#和HOLD#。支持高达85 MHz的SPI时钟频率，双输出读取的时钟速率为85 MHz。 S25FL204K阵列由2048个可编程页面组成，每个页面256字节。一次最多可编程256字节。页面可以按16个一组（4 kB扇区擦除）、256个一组（64 kB块擦除）或整个芯片（芯片擦除）进行擦除。S25FL204K有128个可擦除扇区和8个可擦除块。小的4 kB扇区为需要数据和参数存储的应用提供了更大的灵活性。保持引脚、写保护引脚和可编程写保护提供了进一步的控制灵活性。此外，S25FL204K器件支持JEDEC标准的制造商和器件识别。

商品特性

单电源供电
全电压范围：2.7至3.6 V
4 Mbit串行闪存
4 Mbit/512 kB/2048页
每个可编程页面256字节
统一的4 kB扇区/64 kB块
标准和双模式
标准SPI：SCK、CS#、SI、SO、WP#、HOLD#
双SPI：SCK、CS#、SI/IO0、SO、WP#、HOLD#
快速读取双输出指令
自动递增读取功能
高性能
快速读取（串行）：85 MHz时钟速率
双输出读取：85 MHz时钟速率
低功耗
典型工作电流12 mA
典型待机电流15 μA
具有4 kB扇区的灵活架构
扇区擦除（4 kB）
块擦除（64 kB）
页面编程最多256字节
典型擦除/编程周期100k次
典型数据保留时间20年
软件和硬件写保护
通过软件对全部或部分内存进行写保护
使用WP#引脚启用/禁用保护
高性能编程/擦除速度
页面编程时间：典型值1.5 ms
扇区擦除时间（4 kB）：典型值50 ms
块擦除时间（64 kB）：典型值500 ms
芯片擦除时间：典型值3.5秒
封装选项
8引脚SOIC 150/208密耳
所有无铅封装均符合RoHS标准

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	NOR FLASH
	接口类型	SPI
	存储容量	4Mbit
	时钟频率(fc)	85MHz
	工作电压	2.7V~3.6V
	待机电流	15uA

	属性	参数值
	擦写寿命	100000次
	页写入时间(Tpp)	1.5ms
	块擦除时间(tBE)	500ms@(64KB)
	数据保留 - TDR(年)	20年
	工作温度	-40℃~+85℃