GKI04048

AON6442采用沟槽式MOSFET技术，该技术经过独特优化，可提供最高效的高频开关性能。由于RDS(ON)和Crss极低，功率损耗得以最小化。此外，采用“肖特基式”软恢复体二极管，可很好地控制开关特性。

• 漏源击穿电压(V(BR)DSS):40 V(漏极电流 ID = 100 μA)
• 漏极电流(ID):26 A
• 导通电阻(RDS(ON)):最大 5.4 mΩ(栅源电压 VGS = 10 V,漏极电流 ID = 35.4 A)
• 栅极总电荷(Qg):16.0 nC(栅源电压 VGS = 4.5 V,漏源电压 VDS = 20 V,漏极电流 ID = 42.8 A)
• 低栅极总电荷
• 高速开关
• 低导通电阻
• 支持 4.5 V 栅极驱动
• 100% 非钳位感性负载(UIL)测试
• 符合 RoHS 标准

• 直流 - 直流转换器
• 同步整流
• 电源