- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
APT35GP120B2DQ2G
APT35GP120B2DQ2G
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- 品牌名称
- MICROCHIP(美国微芯)
- 商品型号
- APT35GP120B2DQ2G
- 商品编号
- C19371358
- 商品封装
- TO-247-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.562克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | PT(穿通型) | |
| 耗散功率(Pd) | 543W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 1.2kV | |
| 集电极电流(Ic) | 96A | |
| 集电极脉冲电流(Icm) | 140A | |
| 集电极截止电流(Ices) | - | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 3V；3.3V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 150nC@15V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 3.24nF | |
| 输出电容(Coes) | 250pF | |
| 反向传输电容(Cres) | 31pF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 16ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 145ns；95ns | |
| 导通损耗(Eon) | 750uJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 1.745mJ；680uJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 26ns；430ns；210ns；350ns | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
POWER MOS 7 IGBT是新一代高压功率IGBT。该IGBT采用穿通技术，非常适合许多高频、高压开关应用，并且针对高频开关模式电源进行了优化。
商品特性
- 低传导损耗
- RBSOA额定
- 低栅极电荷
- 超快速尾电流关断
- GRM1887U1H9R8DZ01D
- SI7021-A10-GMR
- 743C083180JP
- 98414-G10-40ULF
- DSC6011CE1A-000.0000T
- ECO-S2WP121DA
- CC1206KKX7R7BB474
- ERD-S1TJ153V
- 1812JA250102KSTUYS
- AVS335M50B12B-F
- 1812YA250122JSTSYS
- 68418-409HLF
- 75915-447HLF
- GRM1886S1H130JZ01D
- 1808YA250150GGRSYX
- GRM1555C1H5R5WZ01D
- HLMP-CW76-QT000
- NH020G5
- PC28F512G18FF TR
- 3483-560M
- 68422-127HLF