- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
MX25L8036EM2I-08G
MX25L8036EM2I-08G
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 品牌名称
- MXIC(旺宏电子)
- 商品型号
- MX25L8036EM2I-08G
- 商品编号
- C19369127
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | NOR FLASH | |
| 接口类型 | SPI | |
| 存储容量 | 8Mbit | |
| 时钟频率(fc) | 133MHz | |
| 工作电压 | 2.7V~3.6V | |
| 待机电流 | 50uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 擦写寿命 | 100000次 | |
| 页写入时间(Tpp) | 700us | |
| 块擦除时间(tBE) | 400ms@(64KB) | |
| 数据保留 - TDR(年) | 20年 | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 功能特性 | 硬件写保护；绝对写保护；写使能锁存；软件写保护；上电复位 |
商品概述
MX25L8036E是一款8兆位CMOS串行闪存，采用串行外设接口，兼容模式0和模式3。该器件支持单电源供电，电压范围为2.7V至3.6V，适用于读取、擦除和编程操作。其存储结构为8,388,608位×1，或4,194,304位×2（双输入/输出读取模式），或2,097,152位×4（四输入/输出读取模式）。该闪存包含256个扇区，每个扇区4K字节，可单独擦除；同时包含16个块，每个块64K字节，也可单独擦除。该器件具有闩锁保护功能。
商品特性
- 高性能：支持快速读取，单输入/输出模式下最高133MHz（需8个虚拟周期）；双输入/输出模式下，2READ指令支持108MHz（需4个虚拟周期），DREAD指令支持133MHz（需8个虚拟周期）；四输入/输出模式下最高133MHz（需6个虚拟周期），等效于532MHz。
- 快速访问时间：串行时钟最高133MHz。
- 快速编程时间：典型值0.7毫秒，最大值3毫秒每页（每页256字节）；字节编程时间典型值为9微秒。
- 快速擦除时间：扇区（4K字节）典型值60毫秒；块（64K字节）典型值0.4秒；整片擦除典型值3秒。
- 低功耗：读取电流在133MHz时最大35毫安，在50MHz时最大10毫安；编程电流最大20毫安；擦除电流最大20毫安；待机电流典型值20微安，最大值50微安；深度掉电电流典型值3微安，最大值20微安。
- 高耐久性：最小可承受100,000次擦除/编程周期。
- 长数据保持时间：20年。
- 软件特性：输入数据格式为1字节命令码；具备高级安全特性，包括块锁定保护，状态位BP0-BP3可定义受保护区域大小以防御编程和擦除指令；额外提供4K位安全一次性可编程存储器用于标识符；支持自动擦除和自动编程算法。
- 状态寄存器功能：支持电子识别。