NAND512W3A2BZA6E
NAND闪存存储器，高达1Gbit存储阵列，x8或x16总线宽度，1.8V/3V供电
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- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- NAND512W3A2BZA6E
- 商品编号
- C19367872
- 商品封装
- FBGA-63(8.5x15)
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | NAND FLASH | |
| 存储容量 | 512Mbit | |
| 接口类型 | - | |
| 时钟频率(fc) | - | |
| 工作电压 | 2.7V~3.6V | |
| 写周期时间(Tw) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 页写入时间(Tpp) | 200us | |
| 块擦除时间(tBE) | 2ms | |
| 数据保留 - TDR(年) | - | |
| 工作温度 | - | |
| 待机电流 | 100uA | |
| 擦写寿命 | 10万次 |