- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
NAND512W3A2BZA6E
NAND闪存存储器，高达1Gbit存储阵列，x8或x16总线宽度，1.8V/3V供电
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- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- NAND512W3A2BZA6E
- 商品编号
- C19367872
- 商品封装
- FBGA-63(8.5x15)
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | NAND FLASH | |
| 存储容量 | 512Mbit | |
| 接口类型 | - | |
| 时钟频率(fc) | - | |
| 工作电压 | 2.7V~3.6V | |
| 写周期时间(Tw) | - | |
| 页写入时间(Tpp) | 200us |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 块擦除时间(tBE) | 2ms | |
| 数据保留 - TDR(年) | - | |
| 工作温度 | - | |
| 待机电流 | 100uA | |
| 擦写寿命 | 10万次 | |
| 功能特性 | 坏块管理功能；硬件写保护功能；ECC纠错功能；软件复位功能；复制回写功能 |
商品特性
- 高密度NAND闪存
- 高达1 Gbit的存储阵列
- 高达32 Mbit的备用区域
- 适用于大容量存储应用的高性价比解决方案
- NAND接口：x8或x16总线宽度，复用地址/数据，所有密度的引脚兼容
- 供电电压：1.8V器件，VDD = 1.7至1.95V；3.0V器件，VDD = 2.7至3.6V
- 页面大小：x8器件，(512 + 16备用)字节；x16器件，(256 + 8备用)字
- 块大小：x8器件，(16K + 512备用)字节；x16器件，(8K + 256备用)字
- 页面读取/编程：随机访问，12μs（最大）；顺序访问，50ns（最小）；页面编程时间，200μs（典型）
- 回写编程模式：无需外部缓冲的快速页面复制
- 快速块擦除：块擦除时间，2ms（典型）
- 状态寄存器
- 电子签名
- 芯片使能“不关心”选项
- 与微控制器的简单接口
- 上电时自动读取页面0选项：支持从NAND启动，自动内存下载
- 序列号选项
- 硬件数据保护：电源转换期间编程/擦除锁定
- 数据完整性：100,000次编程/擦除循环，10年数据保留
- 开发工具：纠错码软件和硬件模型，坏块管理和损耗均衡算法，带仿真软件的PC演示板，文件系统操作系统原生参考软件，硬件仿真模型
- KAR08LHGT
- 93944-416HLF
- G3VM-3F
- SCRH5D28-101
- TPS2063EVM-294
- 1808JA250820KKTSYX
- 1808YA255P60DKRSYS
- 770103124
- 69157-430HLF
- FCP0805H121J
- GQM1885C2AR20WB01J
- GRM1555C1H6R3CZ01D
- T491D107K010ZTAU00
- 4609H-701-220/271L
- V300C28H75BF
- 1812YA250152JSTSYX
- 35PZA150M10X13
- M83504/12-008
- SFJEL2K00222MX1
- GRM0336R1E5R9CD01D
- 1808JA250220FGTSYS