嘉立创上市
购物车0
M27W101-80K6引脚图
  • 引脚图
  • 焊盘图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

M27W101-80K6

1Mbit低电压UV EPROM和OTP EPROM

SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
商品型号
M27W101-80K6
商品编号
C19366729
商品封装
PLCC-32(11.4x13.9)​
包装方式
袋装
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录非易失性存储器(ROM)
存储器构架(格式)EPROM
存储容量-
属性参数值
工作电压2.7V~3.6V
功能特性电子签名功能

商品概述

M27W101是一款低压1Mbit EPROM,提供紫外线擦除(UV)和一次性可编程(OTP)两种类型,组织方式为131072×8位。

商品特性

  • 读取操作时的低压范围为2.7V至3.6V
  • 访问时间:Vcc=3.0V至3.6V时为70ns;Vcc=2.7V至3.6V时为80ns
  • 与M27C1001引脚兼容
  • 低功耗:工作电流在5MHz时为15mA;待机电流为15μA
  • 编程时间:每字节100μs
  • 高可靠性CMOS技术:具备2000V ESD保护和200mA闩锁保护抗扰度
  • 电子签名:制造商代码20h,器件代码05h
  • 提供无铅ECOPACK®封装,包括FDIP32W(F)、PLCC32(K)、PDIP32(B)、TSOP32(N)(尺寸8×20mm)
  • 读取模式下电源电压可低至2.7V,工作温度范围为-40℃至85℃
  • 降低工作功耗可减小电池尺寸或延长电池充电间隔时间
  • FDIP32W(带窗口的陶瓷熔封封装)具有透明盖子,可通过紫外线擦除位模式
  • 读取模式需两个控制功能:芯片使能(E)为电源控制,用于器件选择;输出使能(G)为输出控制,用于将数据选通到输出引脚。地址访问时间(tAVQV)等于从E到输出的延迟(tELQV);若E为低且地址稳定至少tAVQV - tGLQV时间,数据在G下降沿后延迟tGLQV即可输出
  • 待机模式:Vcc≤3.6V时电源电流从15mA降至15μA;通过向E输入施加CMOS高信号进入待机模式,此时输出处于高阻抗状态,与G输入无关
  • 双线输出控制:适用于大型存储阵列中的多存储器连接

应用领域

  • 适用于需要大容量数据或程序存储的微处理器系统

数据手册PDF