M27W101-80K6
1Mbit低电压UV EPROM和OTP EPROM
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- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- M27W101-80K6
- 商品编号
- C19366729
- 商品封装
- PLCC-32(11.4x13.9)
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 非易失性存储器(ROM) | |
| 存储器构架(格式) | EPROM | |
| 存储容量 | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作电压 | 2.7V~3.6V | |
| 功能特性 | 电子签名功能 |
商品概述
M27W101是一款低压1Mbit EPROM,提供紫外线擦除(UV)和一次性可编程(OTP)两种类型,组织方式为131072×8位。
商品特性
- 读取操作时的低压范围为2.7V至3.6V
- 访问时间:Vcc=3.0V至3.6V时为70ns;Vcc=2.7V至3.6V时为80ns
- 与M27C1001引脚兼容
- 低功耗:工作电流在5MHz时为15mA;待机电流为15μA
- 编程时间:每字节100μs
- 高可靠性CMOS技术:具备2000V ESD保护和200mA闩锁保护抗扰度
- 电子签名:制造商代码20h,器件代码05h
- 提供无铅ECOPACK®封装,包括FDIP32W(F)、PLCC32(K)、PDIP32(B)、TSOP32(N)(尺寸8×20mm)
- 读取模式下电源电压可低至2.7V,工作温度范围为-40℃至85℃
- 降低工作功耗可减小电池尺寸或延长电池充电间隔时间
- FDIP32W(带窗口的陶瓷熔封封装)具有透明盖子,可通过紫外线擦除位模式
- 读取模式需两个控制功能:芯片使能(E)为电源控制,用于器件选择;输出使能(G)为输出控制,用于将数据选通到输出引脚。地址访问时间(tAVQV)等于从E到输出的延迟(tELQV);若E为低且地址稳定至少tAVQV - tGLQV时间,数据在G下降沿后延迟tGLQV即可输出
- 待机模式:Vcc≤3.6V时电源电流从15mA降至15μA;通过向E输入施加CMOS高信号进入待机模式,此时输出处于高阻抗状态,与G输入无关
- 双线输出控制:适用于大型存储阵列中的多存储器连接
应用领域
- 适用于需要大容量数据或程序存储的微处理器系统


