M48Z129V-85PM1

5.0 V或3.3 V，1 Mbit ZEROPOWER SRAM

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品牌名称: ST(意法半导体)
商品型号: M48Z129V-85PM1
商品编号: C19361236
商品封装: DIP-32
包装方式: 袋装
商品毛重: 1克(g)

商品参数

商品概述

M48Z129Y/V ZEROPOWER® SRAM是一款1048576位非易失性静态RAM，组织为131072字×8位。该器件在塑料32引脚DIP模块中集成了内部锂电池、CMOS SRAM和控制电路。M48Z129Y/V可直接替代行业标准128K×8 SRAM。它还提供FLASH的非易失性，无需特殊写入时序或对可执行的写入次数进行限制。

商品特性

集成超低功耗SRAM、掉电控制电路和电池
常规SRAM操作；无限次写入周期
断电时数据保留10年
微处理器上电复位（即使在电池备份模式下复位也有效）
电池低电量引脚 - 提供电池寿命结束警告
自动掉电芯片取消选择和写入保护
CAPHAT™ DIP封装内置电池
引脚和功能与JEDEC标准128K×8 SRAM兼容
符合RoHS标准
无铅二级互连
掉电检测电路监控电源电压是否超出公差
当Vcc超出公差时，写入保护SRAM
当Vcc下降时自动切换到电池
读取模式：当WRITE使能（W）为高且芯片使能（E）为低时进入读取模式，17个地址输入指定要访问的131072字节数据中的哪一个，在最后一个地址输入信号稳定后的地址访问时间（tAVQV）内，有效数据将在数据I/O引脚可用
写入模式：当WRITE使能（W）和芯片使能（E）均有效时进入写入模式，写入从W或E的后一个下降沿开始，由W或E的前一个上升沿终止，地址必须在整个周期内保持有效

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	静态随机存取存储器(SRAM)
	接口类型	-
	存储容量	1Mbit
	工作电压	3V~3.6V
	读写时间	85ns

	属性	参数值
	工作温度	0℃~+70℃
	工作电流	50mA
	待机电流	3mA
	功能特性	自动掉电功能；内置写抑制功能