S29CD016J0MDGH014
16兆位CMOS 2.5V单电压闪存，支持突发模式、双启动、同时读写操作
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- S29CD016J0MDGH014
- 商品编号
- C19349040
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | NOR FLASH | |
| 存储容量 | 16Mbit | |
| 时钟频率(fc) | 56MHz | |
| 工作电压 | 2.5V~2.75V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 待机电流 | 250uA | |
| 擦写寿命 | 100000次 | |
| 数据保留 - TDR(年) | 20年 | |
| 工作温度 | -40℃~+145℃ |
商品概述
Spansion S29CD016J和S29CL016J器件是采用110 nm工艺技术制造的浮栅产品。这些突发模式闪存器件能够在两个独立的存储体上以零延迟执行同时读写操作。这些产品的工作频率最高可达56 MHz，使用2.5 V至2.75 V（S29CD - J）或3.0 V至3.6 V（S29CL - J）的单VCC电源，使其非常适合当今严苛的汽车应用。
商品特性
- 读取/编程/擦除使用单2.6 V（S29CD - J）或3.3 V（S29CL - J）电源
- 采用110 nm浮栅技术
- 零延迟的同时读写操作
- X32数据总线
- 双引导扇区配置（顶部和底部）
- 灵活的扇区架构
- CD016J和CL016J：八个2K双字、32个16K双字和八个2K双字扇区
- 多功能I/O™控制（1.65 V至VCC）
- 可编程突发接口
- 支持2、4和8双字突发的线性模式，有或无环绕
- 可由工厂或客户锁定的安全硅扇区
- 典型数据保留时间为20年
- 每个扇区典型写入循环耐力为100,000次写入循环
- 命令集与JECEC（42.4）标准兼容
- 支持通用闪存接口（CFI）
- 采用持久和密码方法进行高级扇区保护
- 解锁旁路编程命令可减少编程时间
- 写入操作状态位指示编程和擦除操作完成
- 大存储体中最外侧两个扇区的硬件（WP#）保护
- 就绪/忙碌（RY/BY#）输出指示系统数据可用
- 编程和擦除操作的暂停和恢复命令