商品参数
参数完善中
商品概述
该器件是一款基于创新专有垂直工艺技术的N沟道MDmesh V功率MOSFET,该技术与知名的PowerMESHTM横向布局结构相结合。由此产生的产品具有极低的导通电阻,这在硅基功率MOSFET中是无与伦比的,使其特别适用于需要卓越功率密度和出色效率的应用。
商品特性
- 该值根据Rthj - case进行额定
- 经过100%雪崩测试
- 低输入电容和栅极电荷
- 低栅极输入电阻
应用领域
- 开关应用
参数完善中
该器件是一款基于创新专有垂直工艺技术的N沟道MDmesh V功率MOSFET,该技术与知名的PowerMESHTM横向布局结构相结合。由此产生的产品具有极低的导通电阻,这在硅基功率MOSFET中是无与伦比的,使其特别适用于需要卓越功率密度和出色效率的应用。