CY14B101L-SZ45XIT
1 Mbit nvSRAM
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- CY14B101L-SZ45XIT
- 商品编号
- C19344347
- 商品封装
- SOIC-32
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
参数完善中
商品概述
Cypress CY14B101L是一款快速静态随机存取存储器(SRAM),每个存储单元都包含一个非易失性元件。嵌入式非易失性元件采用了QuantumTrap技术,造就了世界上最可靠的非易失性存储器。SRAM提供无限的读写周期,而独立的非易失性数据则存储在高度可靠的QuantumTrap单元中。在掉电时,数据会自动从SRAM传输到非易失性元件(存储操作)。上电时,数据会从非易失性存储器恢复到SRAM(恢复操作)。存储和恢复操作也可以通过软件控制。
CY14B101L非易失性SRAM由两个功能组件组成,它们位于同一个物理单元中,分别是SRAM存储单元和非易失性QuantumTrap单元。SRAM存储单元作为标准的快速静态随机存取存储器运行。SRAM中的数据可以传输到非易失性单元(存储操作),也可以从非易失性单元传输到SRAM(恢复操作)。这种独特的架构使得所有单元能够并行存储和恢复数据。在存储和恢复操作期间,SRAM的读写操作会被禁止。CY14B101L支持无限次读写,类似于典型的SRAM。此外,它还提供从非易失性单元进行无限次恢复操作,以及多达一百万次的存储操作。
商品特性
- 访问时间为25 ns、35 ns和45 ns
- 引脚与STK14CA8兼容
- 掉电时仅需一个小电容即可自动存储数据
- 存储到QuantumTrap非易失性元件可通过软件、硬件或掉电自动存储启动
- 恢复到SRAM可通过软件或上电启动
- 具有无限次的读、写和恢复周期
- 向QuantumTrap进行200,000次存储周期
- 在55℃下数据可保留20年
- 单3V(+20%, -10%)供电
- 适用于商业和工业温度范围
- 采用32引脚(300密耳)SOIC和48引脚(300密耳)SSOP封装
- 符合RoHS标准
