立创商城logo
购物车0
预售商品
CY14B101L-SZ45XIT实物图
  • CY14B101L-SZ45XIT商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

CY14B101L-SZ45XIT

1 Mbit nvSRAM

商品型号
CY14B101L-SZ45XIT
商品编号
C19344347
商品封装
SOIC-32​
包装方式
袋装
商品毛重
1克(g)

商品参数

暂无内容图标

参数完善中

商品概述

Cypress CY14B101L是一款快速静态随机存取存储器(SRAM),每个存储单元都包含一个非易失性元件。嵌入式非易失性元件采用了QuantumTrap技术,造就了世界上最可靠的非易失性存储器。SRAM提供无限的读写周期,而独立的非易失性数据则存储在高度可靠的QuantumTrap单元中。在掉电时,数据会自动从SRAM传输到非易失性元件(存储操作)。上电时,数据会从非易失性存储器恢复到SRAM(恢复操作)。存储和恢复操作也可以通过软件控制。

CY14B101L非易失性SRAM由两个功能组件组成,它们位于同一个物理单元中,分别是SRAM存储单元和非易失性QuantumTrap单元。SRAM存储单元作为标准的快速静态随机存取存储器运行。SRAM中的数据可以传输到非易失性单元(存储操作),也可以从非易失性单元传输到SRAM(恢复操作)。这种独特的架构使得所有单元能够并行存储和恢复数据。在存储和恢复操作期间,SRAM的读写操作会被禁止。CY14B101L支持无限次读写,类似于典型的SRAM。此外,它还提供从非易失性单元进行无限次恢复操作,以及多达一百万次的存储操作。

商品特性

  • 访问时间为25 ns、35 ns和45 ns
  • 引脚与STK14CA8兼容
  • 掉电时仅需一个小电容即可自动存储数据
  • 存储到QuantumTrap非易失性元件可通过软件、硬件或掉电自动存储启动
  • 恢复到SRAM可通过软件或上电启动
  • 具有无限次的读、写和恢复周期
  • 向QuantumTrap进行200,000次存储周期
  • 在55℃下数据可保留20年
  • 单3V(+20%, -10%)供电
  • 适用于商业和工业温度范围
  • 采用32引脚(300密耳)SOIC和48引脚(300密耳)SSOP封装
  • 符合RoHS标准

数据手册PDF