- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
IXFR44N60
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 38A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 130mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 400W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 330nC | |
| 输入电容(Ciss) | 8.9nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 330pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1nF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品特性
- 直接覆铜基板上的硅芯片
- 高功率耗散
- 隔离安装面
- 2500V电气隔离
- 低漏极至散热片电容(<30pF)
- 低RDS(on) HDMOSTM工艺
- 坚固的多晶硅栅单元结构
- 具备非钳位电感开关(UIS)额定值
- 快速本征整流器
应用领域
-DC-DC转换器-电池充电器-开关模式和谐振模式电源-DC斩波器-交流和直流电机控制
- LJT00RT-25-46P-014-LC
- SPUSI2/NOPB
- 0402-19NK
- 0439151117
- GRM1556P1H1R3CZ01D
- NGA10S15033SC
- PVG5H503A01R00
- 1808YA250220JGRSYX
- AT27LV040A-15JC
- GRM0336R1E4R9CD01D
- PLA10AN2230R4D2B
- PSL0102WBEA1
- PT6624F
- SQM48T25010-PCC0
- C0603X6S1A472M030BA
- CM252016-R68ML
- GQM1885C1H8R0DB01D
- HC3-HP-AC115V
- HCPL-091J-500
- NKN400FR-73-22R
- PS7142L-1C-A