BQ4011YMA-70

CMOS bq4011/Y/LY 是一款非易失性 262,144 位静态随机存取存储器（SRAM），组织形式为 32,768 字×8 位。集成控制电路和锂能源提供可靠的非易失性，同时具备标准 SRAM 的无限写入周期。控制电路持续监测单电源是否超出容差范围。当 VCC 超出容差时，SRAM 会无条件地进行写保护，以防止意外写入操作。此时，集成能源会开启，以维持存储器的数据，直到 VCC 恢复正常。bq4011/Y/LY 使用极低待机电流的 CMOS SRAM，并结合小型锂纽扣电池，无需长写入周期时间，也没有与 EEPROM 相关的写入周期限制。bq4011/Y/LY 无需外部电路，并且与行业标准的 256 kb SRAM 引脚排列兼容。当电源正常时，bq4011/Y/LY 作为标准 CMOS SRAM 运行。在掉电和上电周期中，bq4011/Y/LY 作为非易失性存储器，自动保护和保存存储器内容。掉电/上电控制电路持续监测 VCC 电源的掉电检测阈值 VPFD。bq4011 监测典型值 VPFD = 4.62 V，适用于具有 5%电源容差的 5 V 系统；bq4011Y 监测典型值 VPFD = 4.37 V，适用于具有 10%电源容差的 5 V 系统；bq4011LY 监测典型值 VPFD = 2.90 V，适用于 3.3 V 系统。当 VCC 降至 VPFD 阈值以下时，SRAM 自动对数据进行写保护。所有输出变为高阻抗，所有输入被视为无关紧要。如果在掉电检测时正在进行有效访问，则存储周期会继续完成。如果存储周期未能在时间 tWPT 内终止，则进行写保护。当 VCC 降至 VPFD 以下并接近 VSO 时，控制电路切换到内部锂备用电源，该电源在施加有效 VCC 之前提供数据保留。当 VCC 恢复到高于内部备用电池电压的水平时，电源切换回 VCC。在 VCC 上升到 VPFD 阈值以上后，写保护会持续一段时间 tCER（5 V 系统中最大为 120 ms，3.3 V 系统中最大为 85 ms），以允许处理器稳定。此后，可恢复正常的存储器操作。bq4011/Y/LY 使用的内部纽扣电池具有极长的保质期，在系统断电的情况下可提供超过 10 年的数据保留。从德州仪器（TI）发货时，MT 型模块的集成锂电池与存储器电隔离（在此状态下的自放电率约为每年 0.5%）。首次施加 VCC 后，这种隔离被打破，锂备用电源在后续掉电时提供数据保留。

• 无电源情况下数据至少可保留 10 年
• 上电/掉电周期自动写保护
• 常规 SRAM 操作，包括无限写入周期
• 供电前电池内部隔离
• 5 V 或 3.3 V 工作电压
• 行业标准 28 引脚双列直插式封装引脚排列