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M58LT128KST8ZA6F实物图
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M58LT128KST8ZA6F

M58LT128KST8ZA6F

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品牌名称
micron(镁光)
商品型号
M58LT128KST8ZA6F
商品编号
C19336260
商品封装
BGA-64(10x13)​
包装方式
袋装
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录NOR FLASH
接口类型Parallel
存储容量128Mbit
时钟频率(fc)52MHz
属性参数值
工作电压1.7V~2V
擦写寿命100000次
写周期时间(Tw)85ns
工作温度-40℃~+85℃

商品特性

  • 电源电压:
    • 编程、擦除和读取时,VDD = 1.7 V 至 2.0 V
    • I/O 缓冲器的 VDDQ = 2.7 V 至 3.6 V
    • 快速编程时 VPP = 9 V
  • 同步/异步读取:
    • 同步突发读取模式:52 MHz
    • 异步页读取模式
    • 随机访问:85 ns、70 ns
  • 同步突发读取暂停
  • 编程时间:
    • 使用缓冲增强工厂编程命令时,典型字编程时间为 2.5 μs
  • 内存组织:
    • 多存储体内存阵列:8 Mbit 存储体
    • 参数块(顶部或底部位置)
  • 双操作:
    • 一个存储体进行编程/擦除,其他存储体进行读取
    • 读写操作之间无延迟
  • 块保护:
    • 上电时所有块受保护
    • 任何块组合都可以零延迟保护
    • 当 VPP = VSS 时实现绝对写保护
  • 安全:
    • 软件安全特性
    • 64 位唯一设备编号
    • 2112 位用户可编程 OTP 单元
  • 通用闪存接口(CFI):
    • 每个块 100000 次编程/擦除循环
  • TBGA64(ZA)封装,尺寸为 10×13 mm
  • 电子签名:
    • 制造商代码:20h
    • 顶部设备代码 M58LT128KST:88D6h
    • 底部设备代码 M58LT128KSB:88D7h
  • TBGA64 封装:
    • 符合 RoHS 标准

数据手册PDF