TSM018NA03CR RLG
TSM018NA03CR RLG
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- 商品型号
- TSM018NA03CR RLG
- 商品编号
- C19335856
- 商品封装
- PDFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.171克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 连续漏极电流(Id) | 185A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.4mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 104W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 56nC@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | - |
商品概述
这款功率MOSFET是基于独特的“单一特征尺寸™”条形工艺的最新研发成果。由此制成的晶体管具有极高的封装密度，可实现低导通电阻。此外，采用超低结壳热阻的双面散热封装，能够承载更高的电流。
商品特性
- 低导通电阻RDS(ON),以最小化传导损耗
- 低栅极电荷,实现快速功率开关
- 100%进行单向雪崩能量(UIS)和栅极电阻(Rg)测试
- 符合欧盟指令2011/65/EU的RoHS标准,以及指令2002/96/EC的WEEE标准
- 根据IEC 61249-2-21标准,无卤
应用领域
-直流-直流转换器-电池电源管理-或门场效应管/负载开关