- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 30mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 600pF | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | - | |
| 输出电容(Coss) | 70pF |
商品概述
- 沟槽功率MOSFET技术
- 低RDS(ON)
- 低栅极电荷
- 符合RoHS标准且无卤素
商品特性
- 先进的沟槽技术
- 实现出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷
应用领域
-非常适合用作负载开关
- ELC-18E222L
- TVS06RF-J46AE
- AT24C02A-10PI-2.7
- C1608C0G1H5R6C
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- 68422-420HLF
- HL1-H-AC24V-F
- M45PE20-VMP6G
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- RPER72A103K2M2A03A
- 12TW1-10P
- 2220JA250561KSRSYX
- CLLD11X7S0G155M
- 20021111-01008T4LF
- HKQ0603W4N7S-T
- JR1AF-DC24V
- TV07DZ-11-5P-LC
- DSC1122AI5-133.3300