AOTS32334C
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 30mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 600pF | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | - | |
| 输出电容(Coss) | 70pF |
商品概述
- 沟槽功率MOSFET技术
- 低RDS(ON)
- 低栅极电荷
- 符合RoHS标准且无卤素
商品特性
- 先进的沟槽技术
- 实现出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷
应用领域
-非常适合用作负载开关