NAND16GW3D2BN6E
16-Gbit 3V 多平面架构多级单元 NAND 闪存
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 品牌名称
- micron(镁光)
- 商品型号
- NAND16GW3D2BN6E
- 商品编号
- C19334885
- 商品封装
- TSOP-48
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | NAND FLASH | |
| 存储容量 | 16Gbit | |
| 接口类型 | - | |
| 时钟频率(fc) | - | |
| 工作电压 | 2.7V~3.6V | |
| 写周期时间(Tw) | - | |
| 页写入时间(Tpp) | 800us |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 块擦除时间(tBE) | 2.5ms | |
| 数据保留 - TDR(年) | 5年 | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 待机电流 | 10uA | |
| 擦写寿命 | 5千次 | |
| 功能特性 | 坏块管理功能；硬件写保护功能；读缓存功能；OTP区域写保护与锁定功能；ECC纠错功能；软件复位功能；复制回写功能 |
商品特性
- 高密度多级单元（MLC）闪存
- 16 Gbit 存储阵列
- 适用于大容量存储应用的高性价比解决方案
- x8 总线宽度
- 复用地址/数据
- 所有密度的引脚兼容
- 电源电压：VDD = VDDQ = 2.7 至 3.6 V
- 页面大小：(4096 + 224 备用) 字节
- 块大小：(512K + 28K 备用) 字节
- 通过多平面架构提高数据吞吐量
- 阵列分为两个独立平面
- 两个平面同时执行所有操作
- 页面读取/编程
- 随机访问：60 μs（最大）
- 页面编程操作时间：800 μs（典型）
- 多平面页面编程操作时间：800 μs（典型）
- 页面串行访问（数据输入/输出）：25 ns
- 回写编程
- 有无外部缓冲的快速页面复制
- 多平面回写编程
- 快速块擦除
- 块擦除时间：2.5 ms（典型）
- 多平面块擦除时间：2.5 ms（典型）
- 通过缓存编程、多平面缓存编程、缓存读取、多平面缓存读取提高吞吐量
- 缓存读取：无延迟时间的自动块下载
- TSOP48 12 x 20 mm（N）
- 用于设备初始化的 PSL（上电选择）
- 状态寄存器
- 电子签名
- 芯片使能“无关紧要”
- 安全特性
- OTP 区域
- 序列号（唯一 ID）选项
- 数据保护
- 电源转换期间硬件编程/擦除锁定
- 数据完整性
- 5000 次编程/擦除周期（带 12 位/512 字节 ECC）
- 5 年数据保留
- 符合 RoHS 标准的封装
相似推荐
其他推荐