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STK800引脚图
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STK800

STK800

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商品型号
STK800
商品编号
C19332716
包装方式
编带
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)20A
导通电阻(RDS(on))6mΩ@10V
耗散功率(Pd)5.2W
阈值电压(Vgs(th))2.5V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)13.4nC
输入电容(Ciss)1.38nF
反向传输电容(Crss)75pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)450pF
栅极电压(Vgs)±16V

商品概述

这款功率MOSFET是基于独特的“单一特征尺寸TM”条形工艺的最新研发成果。由此制成的晶体管具有极高的封装密度,可实现低导通电阻。此外,采用超低结壳热阻的双面散热封装,能够承载更高的电流。

商品特性

  • 顶部和底部的结壳热阻超低
  • 电容极低
  • 100%进行栅极电阻(Rg)测试
  • 芯片完全封装
  • 符合2002/95/EC欧洲指令

应用领域

  • 开关应用

数据手册PDF