商品参数
参数完善中
商品概述
这款功率MOSFET是基于独特的“单一特征尺寸TM”条形工艺的最新研发成果。由此制成的晶体管具有极高的封装密度,可实现低导通电阻。此外,采用超低结壳热阻的双面散热封装,能够承载更高的电流。
商品特性
- 顶部和底部的结壳热阻超低
- 电容极低
- 100%进行栅极电阻(Rg)测试
- 芯片完全封装
- 符合2002/95/EC欧洲指令
应用领域
- 开关应用
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这款功率MOSFET是基于独特的“单一特征尺寸TM”条形工艺的最新研发成果。由此制成的晶体管具有极高的封装密度,可实现低导通电阻。此外,采用超低结壳热阻的双面散热封装,能够承载更高的电流。