商品参数
参数完善中
商品概述
FH4602K采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷。 互补MOSFET可用于构成电平转换的高端开关，以及其他众多应用。
商品特性
- N沟道：VDS = 20 V，ID = 4.0 A
- RDS(ON)（典型值）= 29 mΩ（VGS = 4.5 V时）
- RDS(ON)（典型值）= 39 mΩ（VGS = 2.5 V时）
- P沟道：VDS = -20 V，ID = -4.1 A
- RDS(ON)（典型值）= 32 mΩ（VGS = -4.5 V时）
- RDS(ON)（典型值）= 39 mΩ（VGS = -2.5 V时）
应用领域
- 高频开关和同步整流-DC/DC转换器-表面贴装封装