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STK800
参数完善中
这款功率MOSFET是基于独特的“单一特征尺寸TM”条形工艺的最新研发成果。由此制成的晶体管具有极高的封装密度,可实现低导通电阻。此外,采用超低结壳热阻的双面散热封装,能够承载更高的电流。
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