M48Z512AY-70PM1
4 Mbit ZEROPOWER SRAM
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- M48Z512AY-70PM1
- 商品编号
- C19332009
- 商品封装
- DIP-32
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静态随机存取存储器(SRAM) | |
| 接口类型 | 并口(Parallel) | |
| 存储容量 | 4Mbit | |
| 工作电压 | 4.5V~5.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 读写时间 | 70ns | |
| 工作温度 | 0℃~+70℃ | |
| 工作电流 | 115mA | |
| 待机电流 | 5mA |
商品概述
M48Z512A/Y/V ZEROPOWER® RAM 是一款非易失性的 4,194,304 位静态随机存取存储器（SRAM），组织形式为 524,288 字×8 位。该器件在一个 32 引脚塑料双列直插式封装（DIP）模块中集成了内部锂电池、CMOS SRAM 和控制电路。M48Z512A/Y/V 还拥有自己的掉电检测电路。控制电路持续监测单路 VCC 电源是否超出容差范围。当 VCC 超出容差时，电路会对 SRAM 进行写保护，在因低 VCC 导致的不可预测系统运行中提供高度的数据安全性。当 VCC 降至切换电压（VSO）以下时，控制电路会连接电池，以在有效电源恢复之前保持数据。ZEROPOWER® RAM 可替代行业标准 SRAM。它具备 PROM 的非易失性，无需特殊的写时序，对写操作次数也没有限制。
商品特性
- 集成超低功耗 SRAM、掉电控制电路和电池
- 常规 SRAM 操作；写入周期无限制
- 断电情况下数据可保留 10 年
- 自动掉电芯片取消选择和写保护
- 两种写保护电压：（VPFD = 掉电取消选择电压）
- M48Z512A：VCC = 4.75 至 5.5 V；4.5 V ≤ VPFD ≤ 4.75 V
- M48Z512AY：VCC = 4.5 至 5.5 V；4.2 V ≤ VPFD ≤ 4.5 V
- M48Z512AV：VCC = 3.0 至 3.6 V；2.8 V ≤ VPFD ≤ 3.0 V
- 电池在通电前内部隔离
- 引脚和功能与 JEDEC 标准 512 K x 8 SRAM 兼容
- PMDIP32 是 ECOPACK 封装
- 符合 RoHS 标准 - 无铅二级互连
- PMDIP32 模块