M29W128GL60ZA6E
128Mb 3V 嵌入式并行 NOR 闪存
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- 品牌名称
- micron(镁光)
- 商品型号
- M29W128GL60ZA6E
- 商品编号
- C19330172
- 商品封装
- BGA-64(10x13)
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | NOR FLASH | |
| 接口类型 | Parallel | |
| 存储容量 | 128Mbit | |
| 工作电压 | 2.7V~3.6V | |
| 擦写寿命 | 100000次 |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 写周期时间(Tw) | 60ns | |
| 页写入时间(Tpp) | 16us | |
| 数据保留 - TDR(年) | 20年 | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 功能特性 | 硬件写保护；绝对写保护；软件写保护 |
商品特性
- 电源电压：
- VCC = 2.7 - 3.6V（编程、擦除、读取）
- VCCQ = 1.65 - 3.6V（I/O缓冲器）
- VPPH = 12V，用于快速编程（可选）
- 异步随机/页读取
- 页大小：8字或16字节
- 页访问时间：25、30ns
- 随机访问时间：60ns、70ns、80ns
- 快速编程命令：32字（64字节）写缓冲器
- 增强型缓冲编程命令：256字
- 编程时间：
- 每字节/字典型值为16μs
- 芯片编程时间：使用VPPH时为5s，不使用VPPH时为8s
- 内存组织：统一块，128个主块，每个128K字节或64K字
- 编程/擦除控制器
- 嵌入式字节/字编程算法
- 编程/擦除暂停和恢复功能
- 在编程暂停操作期间可从任何块读取
- 在擦除暂停操作期间可读取或编程另一个块
- 解锁旁路、块擦除、芯片擦除、写入缓冲器、增强型缓冲编程命令
- 快速缓冲/批量编程
- 快速块/芯片擦除
- VPP/WP#引脚保护
- 无论块保护设置如何，均可保护第一个或最后一个块
- 软件保护：
- 易失性保护
- 非易失性保护
- 密码保护
- 扩展内存块：
- 128字（256字节）内存块，用于永久、安全识别
- 通用闪存接口
- 64位安全代码
- 低功耗：待机和自动模式
- 每个块至少100,000次编程/擦除循环
- RoHS兼容封装：
- 56引脚TSOP（N），14mm×20mm
- 64球TBGA（ZA），10mm×13mm
- 64球FBGA（ZS），11mm×13mm
- 电子签名：
- 制造商代码：0020h
- M29W128GH统一，最后一个块由VPP/WP#保护：227Eh + 2221h + 2201h
- M29W128GL统一，第一个块由VPP/WP#保护：227Eh + 2221h + 2200h
- 汽车设备级温度：-40°C ~ +125°C（汽车级认证）