CY14B104L-ZS45XC

4 Mbit nvSRAM

品牌名称: Infineon(英飞凌)
商品型号: CY14B104L-ZS45XC
商品编号: C19328803
商品封装: TSOPII-44
包装方式: 袋装
商品毛重: 1克(g)

商品参数

	属性	参数值
	商品目录	nvSRAM(掉电保持)

	属性	参数值
	功能特性	自动存储功能；存储完成标志；低电压自动写保护

商品概述

赛普拉斯CY14B104L/CY14B104N是一种快速静态随机存取存储器（SRAM），每个存储单元中都有一个非易失性元件。该存储器组织为512K个8位字节或256K个16位字。嵌入式非易失性元件采用了量子阱（QuantumTrap）技术，造就了世界上最可靠的非易失性存储器。SRAM提供无限的读写周期，而独立的非易失性数据则存储在高度可靠的量子阱单元中。在掉电时，数据会自动从SRAM传输到非易失性元件（存储操作）。上电时，数据会从非易失性存储器恢复到SRAM（恢复操作）。存储和恢复操作也可以在软件控制下进行。

商品特性

访问时间为20 ns、25 ns和45 ns
内部组织为512K×8（CY14B104L）或256K×16（CY14B104N）
掉电时仅需一个小电容即可自动存储数据
可通过软件、器件引脚或掉电时自动存储（AutoStore）功能将数据存储到量子阱（QuantumTrap）非易失性元件中
可通过软件或上电将数据从非易失性元件恢复到SRAM
具有无限的读写和恢复周期
量子阱存储周期达200,000次
数据保留时间为20年
单3V供电，电压范围为+20%至 -10%
适用于商业和工业温度范围
采用48球FBGA和44/54引脚TSOP II封装
无铅且符合RoHS标准

数据手册PDF

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